国家知识产权局信息数据显现，台亚半导体股份有限公司请求一项名为“覆晶发光二极管”的专利，公开号CN122028560A，请求日期为2025年1月。
专利摘要显现，本发明供给一种覆晶发光二极管，包含基材、发光结构、P型电极结构及N型电极结构。发光结构坐落基材上且包含磷化镓层及半导体外延结构，且磷化镓层坐落基材及半导体外延结构之间。半导体外延结构包含依序构成的P型电流分布层、发光层、N型半导体层及通明欧姆触摸层。P型电极结构坐落发光结构的磷化镓层上，且N型电极结构坐落通明欧姆触摸层上。其间N型半导体层包含分布式布拉格反射镜，且分布式布拉格反射镜坐落发光层及N型电极结构之间。
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